Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
MMST5551-7-F Diodes Incorporated
MMST5551-7-F Diodes Incorporated
MMST5551-7-F Diodes Incorporated
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
150 mV
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
200 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min
30
DC Current Gain hFE Max
250
Factory Pack Quantity
3000
Height
1 mm
Length
2.2 mm
Maximum DC Collector Current
200 mA
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
MMST5551
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
5 mg
Width
1.35 mm
Описание
Биполярный транзистор MMST5551-7-F Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MMST5551-7-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MMST5551-7-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
150 mV
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
200 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min
30
DC Current Gain hFE Max
250
Factory Pack Quantity
3000
Height
1 mm
Length
2.2 mm
Maximum DC Collector Current
200 mA
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
MMST5551
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
5 mg
Width
1.35 mm
Описание
Биполярный транзистор MMST5551-7-F Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MMST5551-7-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MMST5551-7-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.