MSA1162GT1G
MSA1162GT1G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-59-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Gain Bandwidth Product fT
80 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MSA1162GT1G Биполярный транзистор - MSA1162GT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MSA1162GT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-59-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Gain Bandwidth Product fT
80 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MSA1162GT1G Биполярный транзистор - MSA1162GT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MSA1162GT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet