MSD601-RT1G
MSD601-RT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-59-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Pd - Power Dissipation
200 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MSD601-RT1G
Биполярный транзистор - MSD601-RT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MSD601-RT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-59-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Pd - Power Dissipation
200 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
MSD601-RT1G
Биполярный транзистор - MSD601-RT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - MSD601-RT1G ON Semiconductor.