NJVMJD31CT4G-VF01
NJVMJD31CT4G-VF01
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
DPAK-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
15 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
NJVMJD31CT4G-VF01
Биполярный транзистор - NJVMJD31CT4G-VF01
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NJVMJD31CT4G-VF01 ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
DPAK-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
15 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
NJVMJD31CT4G-VF01
Биполярный транзистор - NJVMJD31CT4G-VF01
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NJVMJD31CT4G-VF01 ON Semiconductor.