Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
NJVMJD45H11T4G

NJVMJD45H11T4G

NJVMJD45H11T4G
NJVMJD45H11T4G
Артикул: NJVMJD45H11T4G
Производитель: ON Semiconductor
Описание: NJVMJD45H11T4G
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer ON Semiconductor
Package/Case DPAK-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1 V
Gain Bandwidth Product fT 90 MHz
Pd - Power Dissipation 20 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Описание

NJVMJD45H11T4G

Биполярный транзистор - NJVMJD45H11T4G

Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NJVMJD45H11T4G ON Semiconductor.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer ON Semiconductor
Package/Case DPAK-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1 V
Gain Bandwidth Product fT 90 MHz
Pd - Power Dissipation 20 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Описание

NJVMJD45H11T4G

Биполярный транзистор - NJVMJD45H11T4G

Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NJVMJD45H11T4G ON Semiconductor.

Скачать datasheet