История:
ATSAMD21E16B-AUT
ATM04-3P
MF-RX110/72-0-14
ATSAMD21E15L-MF
MF-RX030/72-0-17
R5F52108CDFP
ATSAMD21E15L-AF
R5F52108CDFN
NSS40501UW3T2G
R5F513T3ADNH
BSPM1A48D60LVR
ATSAMD21E17D-AFT
MAC4DHMT4G
ATSAMD21E17L-MFT
BSPH3600YPV
ATSAMD20J15B-MUT
MAX49140AXK/V
LP-GTR-DFM-35
ATSAMD21E16L-MFT
ATSAMD21E15L-MFT
R5F52107CDFN
ATSAMD20J16B-MUT
R5F52108CGFM
MAC4DLMT4G
SPC5645SF1VLUR
ATSAMD20J16B-AUT
IMH4AT110
BSPD5DING
NJVNJD2873T4G-VF01
NJVNJD2873T4G-VF01
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
DPAK-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Gain Bandwidth Product fT
65 MHz
Pd - Power Dissipation
15 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
NJVNJD2873T4G-VF01
Биполярный транзистор - NJVNJD2873T4G-VF01
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NJVNJD2873T4G-VF01 ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
DPAK-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Gain Bandwidth Product fT
65 MHz
Pd - Power Dissipation
15 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
NJVNJD2873T4G-VF01
Биполярный транзистор - NJVNJD2873T4G-VF01
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NJVNJD2873T4G-VF01 ON Semiconductor.