NSL12AWT1G
NSL12AWT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-70-6
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 12 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 12 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 170 mV
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
450 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSL12AWT1G
Биполярный транзистор - NSL12AWT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSL12AWT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-70-6
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 12 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 12 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 170 mV
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
450 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSL12AWT1G
Биполярный транзистор - NSL12AWT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSL12AWT1G ON Semiconductor.

