NSM80100MT1G
NSM80100MT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-74-6
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 4 V
Pd - Power Dissipation
400 mW
Описание
NSM80100MT1G
Биполярный транзистор - NSM80100MT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSM80100MT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-74-6
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 4 V
Pd - Power Dissipation
400 mW
Описание
NSM80100MT1G
Биполярный транзистор - NSM80100MT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSM80100MT1G ON Semiconductor.