История:
MBRT12080R
NSS20101JT1G
NSS20101JT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-89-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Gain Bandwidth Product fT
350 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSS20101JT1G
Биполярный транзистор - NSS20101JT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSS20101JT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-89-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Gain Bandwidth Product fT
350 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSS20101JT1G
Биполярный транзистор - NSS20101JT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSS20101JT1G ON Semiconductor.