NSS30100LT1G
NSS30100LT1G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.65 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
310 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSS30100LT1G Биполярный транзистор - NSS30100LT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSS30100LT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.65 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
310 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSS30100LT1G Биполярный транзистор - NSS30100LT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSS30100LT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet