NSV1C200LT1G
NSV1C200LT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 100 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 140 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 950 mV
Gain Bandwidth Product fT
120 MHz
Pd - Power Dissipation
490 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSV1C200LT1G
Биполярный транзистор - NSV1C200LT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSV1C200LT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 100 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 140 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 950 mV
Gain Bandwidth Product fT
120 MHz
Pd - Power Dissipation
490 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSV1C200LT1G
Биполярный транзистор - NSV1C200LT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSV1C200LT1G ON Semiconductor.