NSV1C300ET4G
NSV1C300ET4G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
DPAK-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Collector- Base Voltage VCBO
140 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.4 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
33 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
NSV1C300ET4G
Биполярный транзистор - NSV1C300ET4G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSV1C300ET4G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
DPAK-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
100 V
Collector- Base Voltage VCBO
140 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.4 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
33 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
NSV1C300ET4G
Биполярный транзистор - NSV1C300ET4G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSV1C300ET4G ON Semiconductor.