NSV60200LT1G
NSV60200LT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 60 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
170 mV
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
460 mW
Описание
NSV60200LT1G
Биполярный транзистор - NSV60200LT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSV60200LT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 60 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
170 mV
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
460 mW
Описание
NSV60200LT1G
Биполярный транзистор - NSV60200LT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSV60200LT1G ON Semiconductor.