NSVBC857CWT1G
NSVBC857CWT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 45 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.9 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
150 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSVBC857CWT1G
Биполярный транзистор - NSVBC857CWT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVBC857CWT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 45 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.9 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
150 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSVBC857CWT1G
Биполярный транзистор - NSVBC857CWT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVBC857CWT1G ON Semiconductor.