История:
AWP-2PD
MAX942MSA/PR
NSVBC858CLT1G
NSVBC858CLT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.65 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSVBC858CLT1G
Биполярный транзистор - NSVBC858CLT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVBC858CLT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.65 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSVBC858CLT1G
Биполярный транзистор - NSVBC858CLT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVBC858CLT1G ON Semiconductor.