NSVBSS63LT1G
NSVBSS63LT1G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 250 mV
Gain Bandwidth Product fT
95 MHz
Pd - Power Dissipation
225 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSVBSS63LT1G
Биполярный транзистор - NSVBSS63LT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVBSS63LT1G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 100 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 250 mV
Gain Bandwidth Product fT
95 MHz
Pd - Power Dissipation
225 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSVBSS63LT1G
Биполярный транзистор - NSVBSS63LT1G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVBSS63LT1G ON Semiconductor.