NSVMMUN2113LT3G
NSVMMUN2113LT3G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250 mV
Pd - Power Dissipation
230 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSVMMUN2113LT3G Биполярный транзистор - NSVMMUN2113LT3GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVMMUN2113LT3G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250 mV
Pd - Power Dissipation
230 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
NSVMMUN2113LT3G Биполярный транзистор - NSVMMUN2113LT3GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - NSVMMUN2113LT3G ON Semiconductor.
Скачать datasheet

