PHE13009/DG,127
PHE13009/DG,127
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
WeEn Semiconductors
Package/Case
TO-220AB-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
400 V
Collector- Base Voltage VCBO
700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.32 V
Pd - Power Dissipation
80 W
Описание
PHE13009/DG,127
Биполярный транзистор - PHE13009/DG,127
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
WeEn Semiconductors
Package/Case
TO-220AB-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
400 V
Collector- Base Voltage VCBO
700 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.32 V
Pd - Power Dissipation
80 W
Описание
PHE13009/DG,127
Биполярный транзистор - PHE13009/DG,127
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - PHE13009/DG,127 WeEn Semiconductors.