SBC848BLT1G
SBC848BLT1G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
SBC848BLT1G Биполярный транзистор - SBC848BLT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SBC848BLT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
SBC848BLT1G Биполярный транзистор - SBC848BLT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SBC848BLT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet