SHN1B01FDW1T1G
SHN1B01FDW1T1G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-74-6
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V, 50 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 60 V, 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V, 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.3 V, 0.25 V
Gain Bandwidth Product fT
-
Pd - Power Dissipation
380 mW
Minimum Operating Temperature
-
Описание
SHN1B01FDW1T1G Биполярный транзистор - SHN1B01FDW1T1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SHN1B01FDW1T1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-74-6
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V, 50 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 60 V, 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 7 V, 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.3 V, 0.25 V
Gain Bandwidth Product fT
-
Pd - Power Dissipation
380 mW
Minimum Operating Temperature
-
Описание
SHN1B01FDW1T1G Биполярный транзистор - SHN1B01FDW1T1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SHN1B01FDW1T1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet