SMMBT3906WT1G
SMMBT3906WT1G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 40 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.85 V
Gain Bandwidth Product fT
250 MHz
Pd - Power Dissipation
150 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
SMMBT3906WT1G Биполярный транзистор - SMMBT3906WT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SMMBT3906WT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 40 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.85 V
Gain Bandwidth Product fT
250 MHz
Pd - Power Dissipation
150 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
SMMBT3906WT1G Биполярный транзистор - SMMBT3906WT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SMMBT3906WT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet

