SMMBT5089LT1G
SMMBT5089LT1G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
35 V
Emitter- Base Voltage VEBO
4.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Gain Bandwidth Product fT
40 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
SMMBT5089LT1G Биполярный транзистор - SMMBT5089LT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SMMBT5089LT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
35 V
Emitter- Base Voltage VEBO
4.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Gain Bandwidth Product fT
40 MHz
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
SMMBT5089LT1G Биполярный транзистор - SMMBT5089LT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SMMBT5089LT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet