SMMBT5551LT3G
SMMBT5551LT3G
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.25 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
SMMBT5551LT3G
Биполярный транзистор - SMMBT5551LT3G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SMMBT5551LT3G ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.25 V
Pd - Power Dissipation
300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
SMMBT5551LT3G
Биполярный транзистор - SMMBT5551LT3G
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SMMBT5551LT3G ON Semiconductor.