SSTA56HZGT116
SSTA56HZGT116
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Base Voltage VCBO
- 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 4 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 250 mV
Gain Bandwidth Product fT
50 MHz
Pd - Power Dissipation
350 mW
Описание
SSTA56HZGT116 Биполярный транзистор - SSTA56HZGT116Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SSTA56HZGT116 ROHM Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Base Voltage VCBO
- 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 4 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 250 mV
Gain Bandwidth Product fT
50 MHz
Pd - Power Dissipation
350 mW
Описание
SSTA56HZGT116 Биполярный транзистор - SSTA56HZGT116Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SSTA56HZGT116 ROHM Semiconductor.
Скачать datasheet