SSVBC846BPDW1T1G
SSVBC846BPDW1T1G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-363-6
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
65 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V, 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.3 V, 0.25 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
250 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
SSVBC846BPDW1T1G Биполярный транзистор - SSVBC846BPDW1T1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SSVBC846BPDW1T1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-363-6
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
65 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V, 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.3 V, 0.25 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
250 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
SSVBC846BPDW1T1G Биполярный транзистор - SSVBC846BPDW1T1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - SSVBC846BPDW1T1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet