История:
1N5657A/TR
TTC008(Q)
TTC008(Q)
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
TO-251-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
285 V
Collector- Base Voltage VCBO
600 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600 V
Pd - Power Dissipation
1.1 W
Описание
TTC008(Q)
Биполярный транзистор - TTC008(Q)
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - TTC008(Q) Toshiba.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
TO-251-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
285 V
Collector- Base Voltage VCBO
600 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600 V
Pd - Power Dissipation
1.1 W
Описание
TTC008(Q)
Биполярный транзистор - TTC008(Q)
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - TTC008(Q) Toshiba.