Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZHB6718TA Diodes Incorporated

ZHB6718TA Diodes Incorporated

ZHB6718TA Diodes Incorporated
ZHB6718TA Diodes Incorporated
Артикул: ZHB6718TA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZHB6718TA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SM-8
Transistor Polarity NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 20 V
Collector- Base Voltage VCBO 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 130 mV
Gain Bandwidth Product fT 140 MHz
Pd - Power Dissipation 2000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Quad
Continuous Collector Current 2.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 200 at 10 mA, 2 V at NPN, 300 at 100 mA, 2 V at NPN, 200 at 2 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 300 at 100 mA, 2 V at PNP, 150 at 2 A, 2 V at PNP, 35 at 4 A, 2 V at PNP
DC Current Gain hFE Max 200
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.6 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 2.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZHB6718
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 1 g
Width 3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZHB6718TA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZHB6718TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZHB6718TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SM-8
Transistor Polarity NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 20 V
Collector- Base Voltage VCBO 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 130 mV
Gain Bandwidth Product fT 140 MHz
Pd - Power Dissipation 2000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Quad
Continuous Collector Current 2.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 200 at 10 mA, 2 V at NPN, 300 at 100 mA, 2 V at NPN, 200 at 2 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 300 at 100 mA, 2 V at PNP, 150 at 2 A, 2 V at PNP, 35 at 4 A, 2 V at PNP
DC Current Gain hFE Max 200
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.6 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 2.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZHB6718
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 1 g
Width 3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZHB6718TA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZHB6718TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZHB6718TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet