ZTD09N50DE6QTA
ZTD09N50DE6QTA
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-26-6
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
24 mV
Gain Bandwidth Product fT
215 MHz
Pd - Power Dissipation
700 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZTD09N50DE6QTA Биполярный транзистор - ZTD09N50DE6QTAБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZTD09N50DE6QTA Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-26-6
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
24 mV
Gain Bandwidth Product fT
215 MHz
Pd - Power Dissipation
700 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZTD09N50DE6QTA Биполярный транзистор - ZTD09N50DE6QTAБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZTD09N50DE6QTA Diodes Incorporated.
Скачать datasheet