Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZTX1147A Diodes Incorporated

ZTX1147A Diodes Incorporated

ZTX1147A Diodes Incorporated
ZTX1147A Diodes Incorporated
Артикул: ZTX1147A
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZTX1147A Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 12 V
Collector- Base Voltage VCBO - 15 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 175 mV
Gain Bandwidth Product fT 115 MHz
Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 4 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 2 A, 2 V, 170 at 4 A, 2 V, 90 at 10 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 270 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 4000
Height 4.01 mm
Length 4.77 mm
Maximum DC Collector Current 4 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Bulk
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZTX1147
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 453,600 mg
Width 2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX1147A Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX1147A Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX1147A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 12 V
Collector- Base Voltage VCBO - 15 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 175 mV
Gain Bandwidth Product fT 115 MHz
Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 4 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 2 A, 2 V, 170 at 4 A, 2 V, 90 at 10 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 270 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 4000
Height 4.01 mm
Length 4.77 mm
Maximum DC Collector Current 4 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Bulk
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZTX1147
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 453,600 mg
Width 2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX1147A Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX1147A Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX1147A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet