Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZTX415STZ Diodes Incorporated

ZTX415STZ Diodes Incorporated

ZTX415STZ Diodes Incorporated
ZTX415STZ Diodes Incorporated
Артикул:
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZTX415STZ Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector- Base Voltage VCBO 260 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT 40 MHz
Pd - Power Dissipation 680 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Current Gain hFE Max 25 at 10 mA, 10 V
Factory Pack Quantity 2000
Height 4.01 mm
Length 4.77 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Ammo Pack
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZTX415
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 453,600 mg
Width 2.41 mm
Описание

Биполярный транзистор ZTX415STZ Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX415STZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX415STZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector- Base Voltage VCBO 260 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT 40 MHz
Pd - Power Dissipation 680 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Current Gain hFE Max 25 at 10 mA, 10 V
Factory Pack Quantity 2000
Height 4.01 mm
Length 4.77 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Ammo Pack
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZTX415
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 453,600 mg
Width 2.41 mm
Описание

Биполярный транзистор ZTX415STZ Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX415STZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX415STZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet