Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZTX457 Diodes Incorporated

ZTX457 Diodes Incorporated

ZTX457 Diodes Incorporated
ZTX457 Diodes Incorporated
Артикул:
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZTX457 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 300 V
Collector- Base Voltage VCBO 300 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.3 V
Gain Bandwidth Product fT 75 MHz
Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 50 at 10 mA, 10 V, 50 at 50 mA, 10 V, 25 at 100 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max 50 at 10 mA, 10 V
Factory Pack Quantity 4000
Height 4.01 mm
Length 4.77 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Bulk
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZTX457
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 453,600 mg
Width 2.41 mm
Описание

Биполярный транзистор ZTX457 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX457 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX457 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 300 V
Collector- Base Voltage VCBO 300 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.3 V
Gain Bandwidth Product fT 75 MHz
Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 50 at 10 mA, 10 V, 50 at 50 mA, 10 V, 25 at 100 mA, 10 V
DC Current Gain hFE Max 50 at 10 mA, 10 V
Factory Pack Quantity 4000
Height 4.01 mm
Length 4.77 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Bulk
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZTX457
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 453,600 mg
Width 2.41 mm
Описание

Биполярный транзистор ZTX457 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX457 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX457 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet