Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

ZTX658QSTZ Diodes Incorporated

ZTX658QSTZ Diodes Incorporated
ZTX658QSTZ Diodes Incorporated
Артикул:
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZTX658QSTZ Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 200 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V
Collector- Base Voltage VCBO 400 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT 50 MHz
Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 500 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min 40
Factory Pack Quantity 2000
Maximum DC Collector Current 500 mA
Mounting Style Through Hole
Packaging Ammo Pack
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
Subcategory Transistors
Technology Si
Описание

Биполярный транзистор ZTX658QSTZ Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX658QSTZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX658QSTZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 200 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V
Collector- Base Voltage VCBO 400 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT 50 MHz
Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 500 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min 40
Factory Pack Quantity 2000
Maximum DC Collector Current 500 mA
Mounting Style Through Hole
Packaging Ammo Pack
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
Subcategory Transistors
Technology Si
Описание

Биполярный транзистор ZTX658QSTZ Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX658QSTZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX658QSTZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet