Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZTX694BSTZ Diodes Incorporated

ZTX694BSTZ Diodes Incorporated

ZTX694BSTZ Diodes Incorporated
ZTX694BSTZ Diodes Incorporated
Артикул: ZTX694BSTZ
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZTX694BSTZ Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 120 V
Collector- Base Voltage VCBO 120 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz
Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 500 at 100 mA, 2 V, 400 at 200 mA, 2 V, 150 at 400 mA, 2 V
DC Current Gain hFE Max 500 at 100 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 2000
Height 4.01 mm
Length 4.77 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Ammo Pack
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZTX694
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 453,600 mg
Width 2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX694BSTZ Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX694BSTZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX694BSTZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 120 V
Collector- Base Voltage VCBO 120 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz
Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 500 at 100 mA, 2 V, 400 at 200 mA, 2 V, 150 at 400 mA, 2 V
DC Current Gain hFE Max 500 at 100 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 2000
Height 4.01 mm
Length 4.77 mm
Maximum DC Collector Current 0.5 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Ammo Pack
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZTX694
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 453,600 mg
Width 2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX694BSTZ Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX694BSTZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX694BSTZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet