Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
ZTX718STZ Diodes Incorporated
ZTX718STZ Diodes Incorporated
ZTX718STZ Diodes Incorporated
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
ZTX718STZ Diodes Incorporated
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 20 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 190 mV
Gain Bandwidth Product fT
180 MHz
Pd - Power Dissipation
1000 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 2.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 150 at 2 A, 2 V, 35 at 4 A, 2 V, 15 at 6 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max
300 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity
2000
Height
4.01 mm
Length
4.77 mm
Maximum DC Collector Current
2.5 A
Mounting Style
Through Hole
Packaging
Ammo Pack
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
ZTX718
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
453,600 mg
Width
2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX718STZ Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX718STZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX718STZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 20 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 190 mV
Gain Bandwidth Product fT
180 MHz
Pd - Power Dissipation
1000 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 2.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 150 at 2 A, 2 V, 35 at 4 A, 2 V, 15 at 6 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max
300 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity
2000
Height
4.01 mm
Length
4.77 mm
Maximum DC Collector Current
2.5 A
Mounting Style
Through Hole
Packaging
Ammo Pack
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
ZTX718
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
453,600 mg
Width
2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX718STZ Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX718STZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX718STZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

