Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
ZTX757 Diodes Incorporated
ZTX757 Diodes Incorporated
ZTX757 Diodes Incorporated
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 300 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 300 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Pd - Power Dissipation
1 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
50 at 100 mA, 5 V, 40 at 10 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max
50 at 100 mA, 5 V
Factory Pack Quantity
4000
Height
4.01 mm
Length
4.77 mm
Maximum DC Collector Current
0.5 A
Mounting Style
Through Hole
Packaging
Bulk
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
ZTX757
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
453,600 mg
Width
2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX757 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX757 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX757 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 300 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 300 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 0.5 V
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Pd - Power Dissipation
1 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
50 at 100 mA, 5 V, 40 at 10 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max
50 at 100 mA, 5 V
Factory Pack Quantity
4000
Height
4.01 mm
Length
4.77 mm
Maximum DC Collector Current
0.5 A
Mounting Style
Through Hole
Packaging
Bulk
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
ZTX757
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
453,600 mg
Width
2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX757 Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX757 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX757 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.