Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZTX788BSTZ Diodes Incorporated

ZTX788BSTZ Diodes Incorporated

ZTX788BSTZ Diodes Incorporated
ZTX788BSTZ Diodes Incorporated
Артикул: ZTX788BSTZ
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZTX788BSTZ Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 15 V
Collector- Base Voltage VCBO 15 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 1000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 500 at 10 mA, 2 V, 400 at 1 A, 2 V, 300 at 2 A, 2 V, 150 at 6 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 500 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 2000
Height 4.01 mm
Length 4.77 mm
Maximum DC Collector Current 3 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Ammo Pack
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZTX788
Subcategory Transistors
Technology Si
Width 2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX788BSTZ Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX788BSTZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX788BSTZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-92-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 15 V
Collector- Base Voltage VCBO 15 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 1000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 500 at 10 mA, 2 V, 400 at 1 A, 2 V, 300 at 2 A, 2 V, 150 at 6 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 500 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 2000
Height 4.01 mm
Length 4.77 mm
Maximum DC Collector Current 3 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Ammo Pack
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZTX788
Subcategory Transistors
Technology Si
Width 2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX788BSTZ Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX788BSTZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX788BSTZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet