ZTX849
ZTX849
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
180 mV
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
1.2 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZTX849 Биполярный транзистор - ZTX849Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZTX849 Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
180 mV
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
1.2 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZTX849 Биполярный транзистор - ZTX849Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZTX849 Diodes Incorporated.
Скачать datasheet