История:
P2600EALAP
P2600ECLAP
P2600ECMCL
ZTX855
ZTX855
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
150 V
Collector- Base Voltage VCBO
250 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
210 mV
Gain Bandwidth Product fT
90 MHz
Pd - Power Dissipation
1.2 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZTX855 Биполярный транзистор - ZTX855Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZTX855 Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
150 V
Collector- Base Voltage VCBO
250 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
210 mV
Gain Bandwidth Product fT
90 MHz
Pd - Power Dissipation
1.2 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZTX855 Биполярный транзистор - ZTX855Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZTX855 Diodes Incorporated.
Скачать datasheet

