Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXT12P12DXTA Diodes Incorporated

ZXT12P12DXTA Diodes Incorporated

ZXT12P12DXTA Diodes Incorporated
ZXT12P12DXTA Diodes Incorporated
Артикул: ZXT12P12DXTA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXT12P12DXTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case MSOP-8
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 12 V
Collector- Base Voltage VCBO - 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 150 mV
Gain Bandwidth Product fT 85 MHz
Pd - Power Dissipation 870 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Dual
Continuous Collector Current - 3 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 300 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 3 A, 2 V, 20 at 12 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 300 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 0.95 mm
Length 3.1 mm
Maximum DC Collector Current 3 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXT12
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 140 mg
Width 3.1 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXT12P12DXTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXT12P12DXTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXT12P12DXTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case MSOP-8
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 12 V
Collector- Base Voltage VCBO - 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 150 mV
Gain Bandwidth Product fT 85 MHz
Pd - Power Dissipation 870 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Dual
Continuous Collector Current - 3 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 300 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 3 A, 2 V, 20 at 12 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 300 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 0.95 mm
Length 3.1 mm
Maximum DC Collector Current 3 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXT12
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 140 mg
Width 3.1 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXT12P12DXTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXT12P12DXTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXT12P12DXTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet