Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated

ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated

ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated
ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated
Артикул: ZXT13N50DE6TA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-6
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 145 mV
Gain Bandwidth Product fT 115 MHz
Pd - Power Dissipation 1.1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 4 A
Factory Pack Quantity 3000
Height 1.3 mm
Length 3.1 mm
Maximum DC Collector Current 4 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXT13N50
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 6,500 mg
Width 1.8 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXT13N50DE6TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-6
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 50 V
Collector- Base Voltage VCBO 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 145 mV
Gain Bandwidth Product fT 115 MHz
Pd - Power Dissipation 1.1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 4 A
Factory Pack Quantity 3000
Height 1.3 mm
Length 3.1 mm
Maximum DC Collector Current 4 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXT13N50
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 6,500 mg
Width 1.8 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXT13N50DE6TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet