Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXTN07012EFFTA Diodes Incorporated

ZXTN07012EFFTA Diodes Incorporated

ZXTN07012EFFTA Diodes Incorporated
ZXTN07012EFFTA Diodes Incorporated
Артикул: ZXTN07012EFFTA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXTN07012EFFTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23F-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 12 V
Collector- Base Voltage VCBO 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Gain Bandwidth Product fT 220 MHz
Pd - Power Dissipation 2000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 500 at 100 mA, 2 V, 400 at 2 A, 2 V, 330 at 4.5 A, 2 V, 140 at 10 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 500
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 3 mm
Maximum DC Collector Current 4.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN07012
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 36 g
Width 1.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN07012EFFTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN07012EFFTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN07012EFFTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23F-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 12 V
Collector- Base Voltage VCBO 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Gain Bandwidth Product fT 220 MHz
Pd - Power Dissipation 2000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 500 at 100 mA, 2 V, 400 at 2 A, 2 V, 330 at 4.5 A, 2 V, 140 at 10 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 500
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 3 mm
Maximum DC Collector Current 4.5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN07012
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 36 g
Width 1.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN07012EFFTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN07012EFFTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN07012EFFTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet