Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXTN08400BNS-7 Diodes Incorporated

ZXTN08400BNS-7 Diodes Incorporated

ZXTN08400BNS-7 Diodes Incorporated
ZXTN08400BNS-7 Diodes Incorporated
Артикул: ZXTN08400BNS-7
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXTN08400BNS-7 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case PowerDI3333-8
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V
Collector- Base Voltage VCBO 450 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 125 mV
Gain Bandwidth Product fT 40 MHz
Pd - Power Dissipation 0.83 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 100 at 50 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max 300 at 50 mA, 5 V
Factory Pack Quantity 2000
Maximum DC Collector Current 1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 30 mg
Описание
Биполярный транзистор ZXTN08400BNS-7 Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN08400BNS-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN08400BNS-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case PowerDI3333-8
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 400 V
Collector- Base Voltage VCBO 450 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 125 mV
Gain Bandwidth Product fT 40 MHz
Pd - Power Dissipation 0.83 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 100 at 50 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max 300 at 50 mA, 5 V
Factory Pack Quantity 2000
Maximum DC Collector Current 1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 30 mg
Описание
Биполярный транзистор ZXTN08400BNS-7 Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN08400BNS-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN08400BNS-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet