Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Bipolar Transistors - BJT
ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated
ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated
ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Diodes Incorporated
Описание:
ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
160 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
50 mV
Gain Bandwidth Product fT
130 MHz
Pd - Power Dissipation
5300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
7 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
25 at 7 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max
500 at 100 mA, 2 V
Factory Pack Quantity
1000
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Maximum DC Collector Current
7 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
ZXTN19060
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Width
3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN19060CGTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
160 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
50 mV
Gain Bandwidth Product fT
130 MHz
Pd - Power Dissipation
5300 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
7 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
25 at 7 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max
500 at 100 mA, 2 V
Factory Pack Quantity
1000
Height
1.65 mm
Length
6.7 mm
Maximum DC Collector Current
7 A
Mounting Style
SMD/SMT
Packaging
Reel
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
ZXTN19060
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
112 mg
Width
3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN19060CGTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.