Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated

ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated

ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated
ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated
Артикул: ZXTN19060CGTA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 160 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 50 mV
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz
Pd - Power Dissipation 5300 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 7 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 25 at 7 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 500 at 100 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 7 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN19060
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN19060CGTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 160 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 50 mV
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz
Pd - Power Dissipation 5300 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 7 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 25 at 7 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 500 at 100 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 7 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN19060
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN19060CGTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN19060CGTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet