Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXTN19100CZTA Diodes Incorporated

ZXTN19100CZTA Diodes Incorporated

ZXTN19100CZTA Diodes Incorporated
ZXTN19100CZTA Diodes Incorporated
Артикул: ZXTN19100CZTA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXTN19100CZTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector- Base Voltage VCBO 200 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 65 mV
Gain Bandwidth Product fT 150 MHz
Pd - Power Dissipation 4460 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 5.25 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 30 at 5.25 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 500 at 100 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.6 mm
Length 4.6 mm
Maximum DC Collector Current 5.25 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN19100
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 52 mg
Width 2.6 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN19100CZTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN19100CZTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN19100CZTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V
Collector- Base Voltage VCBO 200 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 65 mV
Gain Bandwidth Product fT 150 MHz
Pd - Power Dissipation 4460 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 5.25 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 30 at 5.25 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max 500 at 100 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.6 mm
Length 4.6 mm
Maximum DC Collector Current 5.25 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN19100
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 52 mg
Width 2.6 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN19100CZTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN19100CZTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN19100CZTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet