Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXTN2005GTA Diodes Incorporated

ZXTN2005GTA Diodes Incorporated

ZXTN2005GTA Diodes Incorporated
ZXTN2005GTA Diodes Incorporated
Артикул: ZXTN2005GTA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXTN2005GTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 25 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Gain Bandwidth Product fT 150 MHz
Pd - Power Dissipation 3 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 7 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 300 at 10 mA, 1 V, 300 at 1 A, 1 V, 200 at 7 A, 1 V, 40 at 20 A, 1 V
DC Current Gain hFE Max 300
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 7 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN2005
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN2005GTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN2005GTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN2005GTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 25 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Gain Bandwidth Product fT 150 MHz
Pd - Power Dissipation 3 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 7 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 300 at 10 mA, 1 V, 300 at 1 A, 1 V, 200 at 7 A, 1 V, 40 at 20 A, 1 V
DC Current Gain hFE Max 300
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 7 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN2005
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN2005GTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN2005GTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN2005GTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet