ZXTN2010ASTZ
ZXTN2010ASTZ
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
E-Line-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
150 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
130 MHz
Pd - Power Dissipation
1 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZXTN2010ASTZ Биполярный транзистор - ZXTN2010ASTZБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZXTN2010ASTZ Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
E-Line-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
150 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
130 MHz
Pd - Power Dissipation
1 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZXTN2010ASTZ Биполярный транзистор - ZXTN2010ASTZБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZXTN2010ASTZ Diodes Incorporated.
Скачать datasheet