ZXTN2010ZQTA
ZXTN2010ZQTA
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector- Base Voltage VCBO
190 V
Emitter- Base Voltage VEBO
8.1 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
230 mV
Gain Bandwidth Product fT
130 MHz
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZXTN2010ZQTA Биполярный транзистор - ZXTN2010ZQTAБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZXTN2010ZQTA Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector- Base Voltage VCBO
190 V
Emitter- Base Voltage VEBO
8.1 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
230 mV
Gain Bandwidth Product fT
130 MHz
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZXTN2010ZQTA Биполярный транзистор - ZXTN2010ZQTAБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZXTN2010ZQTA Diodes Incorporated.
Скачать datasheet