ZXTN2010ZTA
ZXTN2010ZTA
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
150 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
130 MHz
Pd - Power Dissipation
2.1 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZXTN2010ZTA Биполярный транзистор - ZXTN2010ZTAБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZXTN2010ZTA Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
150 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
130 MHz
Pd - Power Dissipation
2.1 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZXTN2010ZTA Биполярный транзистор - ZXTN2010ZTAБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZXTN2010ZTA Diodes Incorporated.
Скачать datasheet

