Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXTN2018FTA Diodes Incorporated

ZXTN2018FTA Diodes Incorporated

ZXTN2018FTA Diodes Incorporated
ZXTN2018FTA Diodes Incorporated
Артикул: ZXTN2018FTA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXTN2018FTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 140 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 45 mV
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz
Pd - Power Dissipation 1560 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 15
DC Current Gain hFE Max 300
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 3.05 mm
Maximum DC Collector Current 5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN2018
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN2018FTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN2018FTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN2018FTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 140 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 45 mV
Gain Bandwidth Product fT 130 MHz
Pd - Power Dissipation 1560 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 15
DC Current Gain hFE Max 300
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 3.05 mm
Maximum DC Collector Current 5 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN2018
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN2018FTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN2018FTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN2018FTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet