Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
ZXTN25012EFHTA Diodes Incorporated

ZXTN25012EFHTA Diodes Incorporated

ZXTN25012EFHTA Diodes Incorporated
ZXTN25012EFHTA Diodes Incorporated
Артикул: ZXTN25012EFHTA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: ZXTN25012EFHTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 12 V
Collector- Base Voltage VCBO 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Gain Bandwidth Product fT 260 MHz
Pd - Power Dissipation 1.25 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 6 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 500
DC Current Gain hFE Max 500 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 3.05 mm
Maximum DC Collector Current 15 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN250
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN25012EFHTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN25012EFHTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN25012EFHTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 12 V
Collector- Base Voltage VCBO 20 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Gain Bandwidth Product fT 260 MHz
Pd - Power Dissipation 1.25 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 6 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 500
DC Current Gain hFE Max 500 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 3.05 mm
Maximum DC Collector Current 15 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series ZXTN250
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание
Биполярный транзистор ZXTN25012EFHTA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZXTN25012EFHTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZXTN25012EFHTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet